使用特性：
1. 屬液態負光阻，塗布時密著性優良，膠膜機械強度佳，耐高溫與強酸。
2. 在酸性蝕刻液中，抗蝕性良好 (15-20% HF蝕刻液；etch 0.3 mm glass in 1 hr)。
3. 運用範圍：玻璃板 or 晶片背面腐蝕加工；晶片封裝凸塊加工 (Flip Chip)等。
4. 可以水溶液DS-10顯影與剝膜；有機溶液S-100剝膜 (不會腐蝕鋁等金屬層)。

 塗佈方式：旋轉等塗佈【單層塗布厚度20 um – 800 rpm、60 sec；耐強酸可多層塗布增加膠膜厚→100um)。

 乾燥方式：適當軟烤溫度 (Soft BakeTemp.)：65-85℃；時間：15-30分鐘。

 曝光量：250-400 mj/cm2依基片反光度而定。

 曝光後靜置：溫度：室溫；時間：5-15分鐘。

 顯影方式：
顯影液DS-10(1:1) (不會腐蝕鋁等金屬層)；室溫；
顯影時間：90-300秒；需DI Water Rinse Cycles。

 剝膜方式：
1. DS-10 or S-10剝膜液 (溶液不會腐蝕鋁等金屬層)。
2. 剝膜時間：90-300秒，需DI Water Rinse Cycles。
※ 請注意：S-100含有機溶劑，不適合應用於含有藍膜 (PVC膜) 的製程 ※

 相關物理化學性質：